型号:NGB8206NG | 类别:IGBT - 单路 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
详细参数
类别 | IGBT - 单路 |
---|---|
描述 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
IGBT类型 | - |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 390V |
VgewwwwIc时的最大Vce111开222 | 1.9V @ 4.5V,20A |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 20A |
功率_最大 | 150W |
输入类型 | 逻辑 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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